Главная страница155555
MAX8561

MAX8560, MAX8561, MAX8562

4 МГц 500 мА синхронные понижающие DC-DC преобразователи в SOT и TDFN корпусах

Отличительные особенности:

  • Частота переключения ШИМ сигнала до 4 МГц
  • Гарантированный выходной ток до 500 мА
  • Типовой ток покоя 40 мкА
  • Регулируемое выходное напряжение от 0.6 до 2.5 В
  • Логическая функция контроля выходного напряжения (MAX8561)
  • Возможность управления внешним шунтирующим полевым транзистором (MAX8562)
  • Начальная точность ±1.5 %
  • Плавное включение для устранения бросков тока
  • Высокая скорость установки выходного напряжения
  • Внутренний синхронный выпрямитель
  • Диапазон входного напряжения от 2.7 до 5.5 В
  • Ток потребления в дежурном режиме 0.1 мкА
  • Тепловая защита
  • Крошечный SOT23 или миниатюрный 3x3 мм тонкий DFN корпуса

Области применения:

  • Основное питание микропроцессоров/DSP
  • Сотовые и интеллектуальные телефоны
  • Питание CDMA/РЧ усилителей мощности
  • PDA, DSC и MP3 плееры

Типовая схема включения:

Расположение выводов:

Общее описание:

MAX8560/MAX8561/MAX8562 - понижающие DC-DC преобразователи, оптимизированные для приложений, в которых КПД и размеры являются критическими параметрами. Они используют частную гистерезисную схему управления ШИМ, которая переключает с фиксированной перестраиваемой частотой до 4 МГц, что позволяет пользователям снизить количество и размеры внешних компонентов. Максимальный гарантированный выходной ток - 500 мА, а типовой ток покоя всего 40 мкА.

Встроенный синхронный выпрямитель позволяет повысить КПД и устраняет необходимость применения внешнего диода Шотки, требующегося в обычных понижающих преобразователях. Встроенная схема плавного запуска позволяет избежать бросков тока при включении и уменьшить номинал требующегося входного конденсатора. MAX8561 имеет логическую функцию изменения выходного напряжения, а MAX8562 - функцию управления внешним шунтирующим полевым транзистором.

MAX8560 выпускается в 6 выводном SOT23 корпусе. MAX8561/MAX8562 доступны в миниатюрном 8 контактном 3x3 мм тонком DFN корпусе.

Документация:

  413 Kb Engl Описание микросхемы
Наверх