|
IRFTS8342TRPBF
IRFTS8342TRPBF
Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6)
Отличительные особенности:
- Корпус TSOP-6 (Micro 6)
- Максимальное напряжение сток-исток 30В
- Максимальное напряжение затвор-сток ±20В
- Максимальное сопротивление открытого канала при напряжении 4.5В 29мОм
- Максимальное сопротивление открытого канала при напряжении 10В 19мОм
- Максимальный ток стока 8.2А при температуре 25°C
- Максимальный ток стока 6.6А при температуре 70°C
- Полный уровень заряда на затворе 4.8нКл
- Уровень заряда перехода затвор - исток 2.1нКл
- Тепловое сопротивление 62.5°C/Вт
- Рассеиваемая мощность 2Вт при внешней температуре 25°C
- Рассеиваемая мощность 1.3Вт при внешней температуре 70°C
- Не содержит свинца
- Корпус предназначен для поверхностного монтажа
Области применение:
Корпус и расположение выводов:
Общее описание:
Однокристальный дискретный n-канальный полевой транзистор, выполненный по технологии HEXFET. Транзистор рассчитан на напряжение 30В. Транзисторы семейства соответствуют спецификации RoHS и не содержат свинца, бромистых и галоидных соединений. Транзисторы могут применяться в широком спектре приложений.
Документация:
|
