IRLTS6342TRPBF

Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6)

Отличительные особенности:

• Корпус TSOP-6 (Micro 6)
• Максимальное напряжение сток-исток 30В
• Максимальное напряжение затвор-сток ±12В
• Максимальное сопротивление открытого канала при напряжении 2.5В 22мОм
• Максимальное сопротивление открытого канала при напряжении 4.5В 17.5мОм
• Максимальный ток стока 8.3А при температуре 25°C
• Максимальный ток стока 6.7А при температуре 70°C
• Полный уровень заряда на затворе 11нКл
• Уровень заряда перехода затвор - исток 4.6нКл
• Тепловое сопротивление 62.5°C/Вт
• Рассеиваемая мощность 2Вт при внешней температуре 25°C
• Не содержит свинца
• Корпус предназначен для поверхностного монтажа

Области применение:

• Коммутаторы нагрузки

Корпус и расположение выводов:

Общее описание:

Однокристальный дискретный n-канальный полевой транзистор, выполненный по технологии HEXFET. Транзистор рассчитан на напряжение 30В. Транзисторы семейства соответствуют спецификации RoHS и не содержат свинца, бромистых и галоидных соединений. Транзисторы могут применяться в широком спектре приложений.

Документация:

258kB Engl Полное описание микросхемы IRLTS6342TRPBF фирмы International Rectifier