Главная страница155555
AT45DQ321

AT45DQ321

32 Мбит (+1 Мбит) последовательная DataFlash-память с интерфейсом SPI, постраничное/ поблочное/ посекторное стирание, побайтовая/ постраничная (512 байт) запись. Функция записи/ чиения двух или четырех бит за один такт

Отличительные особенности:

  • Единое напряжение питания 2.3...3.6 В или 2.5...3.6 В
  • Последовательный SPI-совместимый интерфейс:
    • Плддержка режимов 0 и 3 интерфейсв SPI
    • Поддержка интерфейса RapidS
    • Поддержка режима записи в буфер двух (Dual-input) бит и четырех (Quad-input) бит данных за один такт
    • Поддержка режима чтения из буфера двух (Dual-output) бит и четырех (Quad-output) бит данных за один такт
  • Высокое быстродействие
    • 85 МГц (SPI)
    • 85 МГц (Dual-I/O и Quad-I/O)
    • Время установки выходного сигнала (Clock-to-Output) tV не более 6 нс
  • Конфигурируемый пользователем размер страницы:
    • 512 байт
    • 528 байт (по умолчанию)
    • Размер стрницы в 512 байт может быть задан фабрично
  • Два полностью независимых буфера SRAM памяти (пл 512/528 байт каждый)
    • Обеспечивают хранение поступающих данных во время перезаписи страниц основной памяти
  • Гибкие режимы записи
    • Побайтовая/постраничная (от 1 до 512/528 байт) запись непосредственно в основную память
    • Запись в буфер
    • Запись в основную память из буфера
  • Гибкие режимы стирания
    • Стирание по странице (по 512/528 байт каждая)
    • Стирание по блоку (по 4 Кбайт каждый)
    • Стирание по сектору (по 64 Кбайт каждый)
    • Стирание всей памяти
  • Функция прерывания/возобновления процесса записи/стирания
  • Расщиренные функции аппаратной и программной защиты данных/li>
    • Индивидуальная защита каждого сектора
    • Последовательная блокировка секторов (Lockdown), позволяющая перевести любой сектор в постоянного состояние "только для чтения"
  • 128-байтный однократнопрограммируемый (OTP) регистр защиты
    • 64 байт преварительно запрограммировано на заводе-изготовителе (с уникальным идентификатором), 64 байт программируются пользователем
  • Аппаратно и программно управляемая функция сброса
  • Соответствующий стандарту JEDEC метод чтения идентификатора (ID) устройства и производителя
  • Ток потребления
    • Сверхглубокий режим пониженного энергопотребления (Ultra-Deep Power-Down): 500 нА (тип.)
    • Глубокий режим пониженного энергопотребления (Deep Power-Down): 3 мкА (тип.)
    • Режим ожидания (Standby): 25 мА (тип.)
    • Режим чтения: 11 мА (тип. на частоте 20 МГц)
  • Износостойкость: 100000 циклов записи/ стирания
  • Срок храния данных: 20 лет
  • Поддерживает полный диапазон промышленных температур (-40...+85°C)
  • Промышленно стандартные "зеленые" (не содержат свинца и галогенов, отвечают требования RoHS) корпуса
    • 8 выводные SOIC шириной 150 mil (стандарт JEDEC) и 208 mil (стандарт EIAJ)
    • Безвыводной с 8-ю контактными площадками UDFN (5 х 6 х 0.6 мм)
    • 9-выводной UBGA

Внутренняя структура:

Внутренняя структура AT45DQ321

Расположение выводов:

Расположение выводов AT45DQ321Расположение выводов AT45DQ321
Расположение выводов

Описание:

AT45DQ321 Flash-память последовательного доступа с минимальным напряжением питания 2.3В, идеально подходящая для хранения цифрового аудио, изображений, программного кода и данных. AT45DQ321 поддерживает последовательный интерфейс SPI и RapidS и режим записи/чтения двух (Dual-I/O) или четырех (Quad-I/O) бит за один такт для приложений, требующих очень высокой скорости передачи данных. 34 603 008 бит памяти организованы в виде 8192 по 512 или 528 байт каждая. В дополнение к основной памяти, AT45DQ321 содержит два буфера SRAM памяти размером по 512/528 байт каждый. Буферы обеспечивают хранение поступающих данных во время перепрограммирования страницы основной памяти. Поочередное обращение к каждому из двух буферов значительно увеличивает возможности системы записывать непрерывный поток данных. Помимо этого, буферы можно использовать в качестве дополнительной системной памяти, а также для эмуляции EEPROM (с побитной или побайтной перезаписью) благодаря собственному трехшаговому режиму чтение-модификация-запись.

В отличие от традиционной Flash-памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательнй доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность и системы и минимизирует коммутационные щумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление.

AT45DB321E работает от единой шины питания в диапазоне от 2.3В до 3.6В или от 2.5В до 3.6В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы: Последовательный вход (SI), последовательный выход (SO) и последовательный тактовый сигнал (SCK).

Документация:

  3300 Kb Engl Описание микросхемы AT45DQ321
Наверх