AT26DF081A

8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, поблочное стирание (4кбайт, 32 кбайт или 64 кбайт), побайтовая (256 байт) запись

Отличительные особенности:

• Одно напряжение питания 2.7В - 3.6В
• SPI-совместимый последовательный интерфейс

  - Поддержка режимов SPI 0 и 3

• Максимальная частота синхронизации 70 МГц
• Гибкая унифицированная архитектура стирания

  - блоки размером 4 кбайт

  - блоки размером 32 кбайт

  - блоки размером 64 кбайт

  - полное стирание памяти

• Оптимизированное разделение на сектора для приложений с загрузкой кода из внешнего ПЗУ и хранением кода и данных

  - один верхний загрузочный сектор размером 32 кбайт

  - два сектора размером 8 кбайт

  - один сектор размером 16 кбайт

  - 15 секторов размером 64 кбайт

• Раздельная защита секторов от программирования/стирания

  - 16 физических секторов размером 128 кбайт

• Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
• Гибкое программирование

  - Побайтное или постраничное программирование (1..256 байт)

  - Режим программирования последовательного потока данных

• Идентификационный код производителя и продукции в соответствии со стандартом JEDEC
• Малая потребляемая мощность

  - 7 мА - активный ток чтения (типичное значение)

  - 11 мкА - потребляемый ток в режиме глубокого отключения (типичное значение)

• Износостойкость: 100 тысяч циклов программирования/стирания
• Сохранность данных в течение 20 лет
• Рабочий промышленный температурный диапазон
• Экологически безопасные стандартные промышленные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)

  - 8-выв. корпуса SOIC шириной 0,2 и 0,15 дюйма

Внутренняя структура:

Расположение выводов:

Описание:

AT26DF081A - Flash-память с последовательным интерфейсом доступа, которая разработана для использования в широком числе пользовательских приложений с высокой серийностью производства, в которых программный код хранится во внешней Flash-памяти, а исполняется во внутреннем или внешнем ОЗУ. Гибкая архитектура стирания AT26DF081A, поддерживающая минимальный стираемый объем памяти 4 кбайт, делает данную микросхему идеальной для приложений с функцией энергонезависимого хранения данных, исключая необходимость установки дополнительных внешних ЭСППЗУ.

Разделение на физические секторы и размеры стираемых блоков у AT26DF081A оптимизированы под потребности современных приложений с хранением программного кода и данных. За счет оптимизации размеров физических секторов и стираемых блоков память может использоваться более эффективно. Это объясняется тем, что для модулей программного кода и сегментов хранимых данных должны быть выделены их собственные сектора с отдельной защитой, поэтому, по сравнению с Flash-памятью с большим размером секторов и стираемых блоков в данном случае сокращается количество пустующих и незадействованных областей памяти. Улучшение эффективности использования памяти позволяет разместить в пределах равного объема памяти большее количество подпрограмм программного кода и сегментов хранимых данных.

AT26DF081A также поддерживает интеллектуальный механизм защиты отдельных секторов от ошибочного или несанкционированного программирования и стирания. Поддержка возможности раздельной установки и снятия защиты секторов позволяет реализовать приложение, в котором допускается изменение содержимого некоторых незащищенных секторов, а оставшиеся секторы массива памяти надежно защищены. Это необходимо, например, когда программа обновляется или модифицируется на модульной или подпрограммной основе или когда в одной микросхеме необходимо сочетать модифицируемые сегменты данных и сегменты программного кода, при этом, гарантировать невозможность несанкционированного изменения сегментов программного кода.

AT26DF081A рассчитана на работу в составе 3В-ых систем, поддерживая возможность чтения, программирования и стирания при напряжении питания 2.7В...3.6В. Для программирования и стирания не требуется подача отдельного напряжения.

Документация:

673 Kb Engl Описание микросхемы AT26DF081A