AT25DF081A

8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, поблочное стирание (4кбайт, 32 кбайт или 64 кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт

Отличительные особенности:

• Одно напряжение питания 2.7…3.6 В
• Совместимость с последовательным интерфейсом SPI
  • Поддержка режимов SPI 0 и 3
  • Поддержка интерфейса RapidS
  • Функция записи/чтения двух бит на один такт
• Высокая рабочая частота
  • 100 МГц в режиме интерфейса RapidS
  • 85 МГц в режиме интерфейса SP
  • Время установки уровня выходного сигнала (Clock-to-Output) t_V не более 5 нс
• Гибкая, оптимизированная под систем задачи хранения данных + программный код, функция стирания
  • Стирание блоком по 4 кбайт
  • Стирание блоком по 32 кбайт
  • Стирание блоком по 64 кбайт
  • Стирание всей памяти
• Индивидуальная защита сектора от записи/стирания с функцией глобальной установки/снятия защиты
  • Шестнадцать секторов по 64 кбайт каждый
• Аппаратно управляемая блокировка защищенных секторов посредством вывода WP
• Функция последовательной блокировки (Lockdown) секторов
  • Переводит любую комбинацию секторов по 64 кбайт в постоянное состояние "только чтение"
• 128-байтный однократнопрограммируемый (OTP) регистр защиты
• Гибкая функция записи
  • Побайтовая или постраничная запись (от 1 до 256 байт)
• Высокая скорость записи и стирания
• Типовое время записи страницы (256 байт): 1 мс
• Типовое время стирания блока по 4 кбайт: 50 мс
• Типовое время стирания блока по 32 кбайт: 250 мс
• Типовое время стирания блока по 64 кбайт: 400 мс
• Автоматический режим определения и сигнализации ошибок записи/стирания:
• Программно управляемый сброс
• Соответствующий стандарту JEDEC метод чтения идентификатора (ID) устройства и производителя
• Малая мощность потребления
  • Ток потребления в режиме чтения (при частоте 20 МГц): 5 мА (тип.)
  • Ток потребления в режиме глубоко пониженного потребления (Deep Power-Down): 5 мкА (тип.)
• Износостойкость: 100 тыс. циклов программирования/стирания
• Хранение данных: 20 лет
• Промышленный температурный диапазон
• Экологически безопасные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)
  • 8-выв. SOIC (ширина 150 мд)
  • 8-выв. ультратонкий DFN (5 мм x 6 мм x 0.6 мм)

Внутренняя структура:

Расположение выводов:

Описание:

AT25DF081A - Flash -память с последовательным интерфейсом доступа. Она рассчитана на использование в широком числе высокосерийных пользовательских приложений с теневым хранением программного кода (хранится во Flash -памяти, а после подачи питания загружается во внешнюю или внутреннюю оперативную память для исполнения). У AT25DF081 реализована гибкая архитектура стирания блоков памяти различных размеров (минимально 4 кбайт), что позволяет исключить из схемы дополнительные EEPROM для хранения данных.

Размеры секторов и стираемых блоков оптимизированы под потребности современных устройств, сочетающих функции хранения данных и программного кода. Благодаря этому, пространство памяти может использоваться более эффективно. В данном случае, модули программных кодов и сегменты данных могут находиться по соседству в пределах своих собственных защищенных секторов, что существенно снижает, свойственные Flash-памяти с большими размерами секторов и блоков, неиспользуемые объемы памяти. Таким образом, при прочих равных условиях, благодаря более высокой эффективности использования объемов памяти, появляется возможность хранения дополнительных подпрограмм и сегментов данных.

Документация:

1053 Kb Engl Описание микросхемы AT25DF081A