AT25DF081
AT25DF081
8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, поблочное стирание (4кбайт, 32 кбайт или 64 кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись
Отличительные особенности:
- Одно напряжение питания 1.65…1.95 В
- Совместимость с последовательным интерфейсом SPI
- Поддержка режимов SPI 0 и 3
- Максимальная частота синхронизации 66 МГц
- Гибкая архитектура с возможностями стирания блоков различных размеров, в т.ч.
- Блоки размером 4 кбайт
- Блоки размером 32 кбайт
- Блоки размером 64 кбайт
- Стирание всего массива памяти
- Раздельная защита секторов с возможностью установки и снятия общей защиты
- Шестнадцать физических секторов размером 64 кбайт
- Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
- Гибкое программирование
- Побайтное/постраничное программирование (1…256 байт)
- Автоматическое выявление и сигнализация ошибок стирания/программирования
- Возможности идентификации производителя и типа ИС по JEDEC-совместимым кодам
- Малый потребляемый ток
- 7 мА в активном режиме чтения (тип. знач.)
- 8 мкА в режиме глубокого отключения (тип. знач.)
- Износостойкость: 100 тыс. циклов программирования/стирания
- Хранение данных: 20 лет
- Промышленный температурный диапазон
- Экологически безопасные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)
- 8-выв. SOIC (ширина 150 мд)
- 8-выв. ультратонкий DFN (5 мм x 6 мм x 0.6 мм)
- 11-выв. dBGA (WLCSP)
Внутренняя структура:
Расположение выводов:
Описание:
AT25DF081 - Flash -память с последовательным интерфейсом доступа. Она рассчитана на использование в широком числе высокосерийных пользовательских применений с теневым хранением кода программы (хранится во Flash -памяти, а после подачи питания загружается во внешнюю или внутреннюю оперативную память для исполнения). У AT25DF081 реализована гибкая архитектура стирания блоков памяти различных размеров (минимально 4 кбайт), что позволяет исключить из схемы дополнительные ЭСППЗУ для хранения данных.
Размеры секторов и стираемых блоков оптимизированы под потребности современных применений с хранением данных и кода программы. Благодаря этой оптимизации, пространство памяти может использоваться более эффективно. В данном случае, модули кодов программы и сегменты данных могут находиться по соседству в пределах своих собственных защищенных секторов, что существенно снижает, свойственные Flash -памяти с большими размерами секторов и блоков, неиспользуемые объемы памяти. Таким образом, при прочих равных условиях, благодаря более высокой эффективности использования объемов памяти, появляется возможность хранения дополнительных подпрограмм и сегментов данных.
Документация:
|
|
784 Kb Engl Описание микросхемы AT25DF081 |
|