Главная страница155555
AT25DF081

AT25DF081

8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, поблочное стирание (4кбайт, 32 кбайт или 64 кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись

Отличительные особенности:

  • Одно напряжение питания 1.65…1.95 В
  • Совместимость с последовательным интерфейсом SPI
    • Поддержка режимов SPI 0 и 3
  • Максимальная частота синхронизации 66 МГц
  • Гибкая архитектура с возможностями стирания блоков различных размеров, в т.ч.
    • Блоки размером 4 кбайт
    • Блоки размером 32 кбайт
    • Блоки размером 64 кбайт
    • Стирание всего массива памяти
  • Раздельная защита секторов с возможностью установки и снятия общей защиты
    • Шестнадцать физических секторов размером 64 кбайт
  • Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
  • Гибкое программирование
    • Побайтное/постраничное программирование (1…256 байт)
  • Автоматическое выявление и сигнализация ошибок стирания/программирования
  • Возможности идентификации производителя и типа ИС по JEDEC-совместимым кодам
  • Малый потребляемый ток
    • 7 мА в активном режиме чтения (тип. знач.)
    • 8 мкА в режиме глубокого отключения (тип. знач.)
  • Износостойкость: 100 тыс. циклов программирования/стирания
  • Хранение данных: 20 лет
  • Промышленный температурный диапазон
  • Экологически безопасные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)
    • 8-выв. SOIC (ширина 150 мд)
    • 8-выв. ультратонкий DFN (5 мм x 6 мм x 0.6 мм)
    • 11-выв. dBGA (WLCSP)

Внутренняя структура:

Внутренняя структура AT25DF081

Расположение выводов:

Расположение выводов AT25DF081Расположение выводов AT25DF081Расположение выводов AT25DF081

Описание:

AT25DF081 - Flash -память с последовательным интерфейсом доступа. Она рассчитана на использование в широком числе высокосерийных пользовательских применений с теневым хранением кода программы (хранится во Flash -памяти, а после подачи питания загружается во внешнюю или внутреннюю оперативную память для исполнения). У AT25DF081 реализована гибкая архитектура стирания блоков памяти различных размеров (минимально 4 кбайт), что позволяет исключить из схемы дополнительные ЭСППЗУ для хранения данных.

Размеры секторов и стираемых блоков оптимизированы под потребности современных применений с хранением данных и кода программы. Благодаря этой оптимизации, пространство памяти может использоваться более эффективно. В данном случае, модули кодов программы и сегменты данных могут находиться по соседству в пределах своих собственных защищенных секторов, что существенно снижает, свойственные Flash -памяти с большими размерами секторов и блоков, неиспользуемые объемы памяти. Таким образом, при прочих равных условиях, благодаря более высокой эффективности использования объемов памяти, появляется возможность хранения дополнительных подпрограмм и сегментов данных.

Документация:

  784 Kb Engl Описание микросхемы AT25DF081
Наверх