Компания IR была основана Лионом Лидовым и его сыном Эриком в августе 1947 года, в Лос-Анжелесе, для производства селеновых выпрямителей и, по существу, стала первой независимой компанией по производству полупроводников в мире. В конце 50-х годов компания первой освоила промышленное производство германиевых диодов, стабилитронов и солнечных элементов.

Сейчас International Rectifier является одной из ведущих мировых компаний по производству силовых полупроводниковых приборов. За более, чем полувековую историю развития она превратилась в ведущего производителя мощных полупроводниковых компонентов для автомобильной, бытовой, компьютерной, осветительной, военной и аэрокосмической техники. Производство компании сертифицировано по стандартам ISO 9901 и QS 9000.

Продукция IR используется везде, где требуется увеличить производительность и надежность электрооборудования: в бытовой технике, промышленных электроприводах, автомобильных системах и устройствах передачи данных. IR является единственной компанией в мире, которая производит и поставляет самый полный спектр компонентов для всего цикла преобразования энергии, от входных каскадов до схем подачи напряжения в нагрузку.

Компания IR является обладателем уникальных МОП-технологий, позволяющих значительно сократить габаритные размеры компонентов, улучшить теплоотдачу, повысить эффективность и производительность. Многие технологические и инженерные решения IR стали промышленными стандартами в силовой электронике.

IR производит самую широкую гамму устройств для всего цикла преобразования входного напряжения в требуемый для различного электрообрудования вид энергии:

Входные каскады для преобразования сетевого переменного напряжения в постоянное: диоды, диодные мосты, тиристоры и сборки на их основе;

Микросхемы управления процессом преобразования энергии: ИС управления МОП-транзисторами, гибридные ИС, стабилизаторы с низким падением напряжения, ШИМ-контроллеры, комбинированные ИС управления, силовые и интеллектуальные ключи, ИС для электронных баластов;

Ключевые каскады для включения и выключения электрической нагрузки: силовые MOSFET транзисторы, IGBT транзисторы, IGBT модули, тиристоры;

Выходные каскады для регулирования подачи электрической энергии от нескольких ампер до 8000 А: диоды Шоттки, быстровосстанавливающиеся диоды, ультрабыстрые диоды, HEXFRED диоды;

Каскады распределения и подачи электроэнергии в нагрузку: MOSFET транзисторы и микроэлектронные реле;

Интегрированные решения для оптимизации работы всей схемы и улучшения выходной эффективности электроустройства: аналоговые ИС, силовые системы, интеллектуальные силовые модули для трехфазных электродвигателей и сервоприводов iNTERO и другие устройства.

Архитектура Accelerator предназначена как для маломощных, так и для высокомощных индустриальных АС приводов, сервоприводов, а также для управления агрегатами бортового применения и автомобильными системами.

Немного истории:

В непрерывных поисках новых технологических решений были созданы:
- 1959 г. - первый кремниевый тиристор
- 1962 г. - первая эпитаксиальная технология для производства стабильного высоковольтного тиристора
- IR - первые поставки высоконадежных устройств для космической промышленности
- 1974 г. - применение пассивации стеклом для производства силовых транзисторов и транзисторов Дарлингтона
- 1979 г. - первый силовой транзистор HEXFET с гексагональной структурой
- 1983 г. - разработка одной из первых в мире интеллектуальной мощной ИС ChipSwitch
- 1983 г. - получение патентов на производство мощных МОП и IGBT транзисторов
- 1983 г. - первая в мире высоковольтная мощная ИС
- 1993 г. - первый SmartFET транзистор
- 1996 г. - первая четырехмасочная MOSFET технология
- 1996 г. - технология FETKY - MOП-транзистор и диод Шоттки в одном корпусе
- 1999 г. - первый высокоплотный планарный MOSFET транзистор с низким уровнем сопротивления в открытом состоянии
- 2000 г. - низкопрофильные SMT корпуса FlipFET для портативных устройств
- 2000 г. - архитектура Accelerator для электроприводов
- 2001 г. - интегрированные блоки iPOWIR для DC-DC конвертеров
- 2002 г. - линейка корпусов DirectFET для высокоэффективных DC-DC конвертеров
- 2002 г. - семейство iNTERO программируемых интеллектуальных силовых модулей для индустриальных электроприводов